고순도 SiC 원료 분말/SiC 조분말(5N-6N)
제품 설명
고순도 탄화규소 분말은 우수한 물리적 및 화학적 특성을 가진 고성능 세라믹 소재로, 주로 고순도 탄화규소(SiC)로 구성됩니다. SiC 원료 분말 5N-6N의 순도는 일반적으로 99.999% -99.9999%이며, 철, 알루미늄, 산소와 같은 불순물 함량은 매우 낮습니다. 총 불순물 함량은 0.001%(10ppm)에서 0.0001%(1ppm) 범위로 관리해야 합니다.
일반적인 SiC 분말에는 α-SiC(육방정계, 예: 4H 및 6H형)와 β-SiC(입방정계)가 있습니다. SiC 조분말은 일반적으로 α상이며 안정성이 높습니다. SiC 조분말의 입자 크기 범위는 10μm에서 100μm이며, SiC 원료 분말의 제품 순도는 5N 수준(순도 ≥ 99.999%)에 도달할 수 있습니다.
이 SiC 조분말 소재는 일반 산업용 연마재나 내화재의 범위를 훨씬 뛰어넘었으며, SiC 원료분말은 차세대 고성능 반도체 소자를 제조하는 핵심 기본 소재입니다.
SiC 원료 분말 특성
SiC 원료 분말 순도: 99.999%(5N) ~ 99.9999%(6N)
입자 크기: 일반적으로 10~100μm(SiC 조분말 범위)
결정상: 주로 α-SiC(전자 응용 분야를 위한 6H 또는 4H 폴리타입)
주요 불순물:
금속(철, 알, 니, 크): <1 ppm(6N), <5 ppm(5N)
산소(O): <50ppm
질소(N): <20ppm
자유탄소(C): <0.1%
제품 상세 정보
탄화규소 순도 : 99.999%(5N) ~ 99.9999%(6N).
고순도 SiC 원료 분말은 하이엔드 제조에 필수적인 기초 소재이며, 신에너지, 5G 등 산업의 발전에 따라 수요가 지속적으로 증가하고 있습니다.
반도체 산업에서 5N-6N 고순도 탄화규소는 물리 기상 전이(PVT) 방식으로 탄화규소 단결정 잉곳을 성장시키는 원료로 사용됩니다. 분말은 고온에서 승화하여 종자 결정으로 이동되어 재결정되고, 웨이퍼 제조용 단결정 잉곳으로 성장합니다. 탄화규소 자체의 높은 경도, 높은 열전도도, 그리고 내열충격성 외에도, 5N-6N 고순도 탄화규소 분말의 핵심 특성은 바로 극도의 순도입니다.
5N-6N 고순도 탄화규소 분말은 반도체 산업 피라미드의 정점에 있는 진주입니다. 더 이상 단순한 분말이 아니라, 극도의 순도, 정밀한 결정 구조, 그리고 엄격한 입자 크기 제어를 요구하는 최첨단 기능성 소재입니다. 이 분말의 제조는 재료 과학, 화학, 열역학, 공학을 아우르는 거대한 도전이며, 미래 전기 자동차, 신에너지, 그리고 5G 통신 기술 개발에 중요한 역할을 합니다.
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