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12인치 3열 웨이퍼 캐리어 RSiC 반도체 트레이

  • Starlight
  • 중국 선양
  • 30일~45일
  • 500t/a SiC 제품 가공
RSiC 웨이퍼 캐리어는 반도체 제조 및 결정 성장 공정에서 핵심 구성 요소로, 고온 환경에서 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 카바이드 기판을 운반하도록 특별히 설계되었습니다. 이 필수적인 12인치 웨이퍼 캐리어는 다양한 열처리 단계에서 안정적인 지지력을 제공합니다.

12인치 3열 웨이퍼 캐리어 RSiC 반도체 트레이

RSiC wafer carrier

반도체 산업에서 12인치 웨이퍼 캐리어는 12인치(300mm) 실리콘 기반 칩 생산 라인에서 중요한 역할을 합니다. 이 RSiC 웨이퍼 캐리어는 기존 12인치 실리콘 공정 장비, 특히 수직 확산로에 통합되는 고성능 소모품 역할을 합니다. 고순도 탄화규소로 제조된 이 고급 재결정 탄화규소 웨이퍼 캐리어는 탁월한 성능 특성을 제공합니다.

1. 뛰어난 고온 강도: 12인치 웨이퍼 캐리어는 1650°C를 초과하는 온도에서도 기계적 무결성을 유지하여 변형을 방지하는 동시에 무거운 12인치 웨이퍼를 안전하게 지지합니다.

2. 뛰어난 열 안정성 및 내충격성: RSiC 웨이퍼 캐리어는 균열 없이 매우 빠른 가열 및 냉각 사이클을 견뎌내므로 공정 사이클을 크게 단축하고 생산 용량을 향상시킵니다.

3. 초고순도 및 낮은 오염도: 이 재결정화된 실리콘 카바이드 웨이퍼 캐리어는 최소한의 금속 불순물을 함유하고 있으며 석영보다 오염도가 낮아 불순물에 민감한 고급 공정에 이상적입니다.

4. 높은 열전도도: 12인치 웨이퍼 캐리어는 용광로 튜브 내부의 균일한 온도 분포를 촉진하여 공정 일관성을 개선합니다.

당사의 제조 역량에는 타일 캐리어, 3컬럼 웨이퍼 캐리어, 그리고 4컬럼 캐리어가 포함됩니다. 이러한 RSiC 웨이퍼 캐리어 솔루션은 반도체 및 태양광 산업에 널리 적용되며, 특히 소형 웨이퍼를 사용하는 산화 및 이온 주입 공정에 적합합니다.

재료 기술 매개변수

반도체/태양광 산업

RSiC

SiC 순도(%)

99.9-99.99

체적 밀도(g/센티미터3)

2.65-2.75

겉보기 기공률(%)

15-16

실온 강도(MPa)

90

1300℃에서의 강도(MPa)

100

소결체의 접합강도(MPa)

25

제품 상세 정보

Recrystallized silicon carbide wafer carrier

12-inch wafer CarrierRSiC wafer carrier

재결정 실리콘 카바이드 웨이퍼 캐리어

재결정 실리콘 카바이드 웨이퍼 캐리어는 재결정 소결 기술을 통해 고순도 실리콘 카바이드 기판을 사용하여 제조됩니다. 이 RSiC 웨이퍼 캐리어는 정밀 가공된 톱니와 홈을 갖추고 있어 매끄럽고 버 없는 표면을 제공합니다.

반도체, 태양광, 주도의 등 극한의 청정도와 안정성이 요구되는 제조 분야를 위해 특별히 설계된 이 12인치 웨이퍼 캐리어의 주요 기능은 실리콘 웨이퍼를 안전하고 안정적으로 지지하는 것입니다. 이 첨단 RSiC 웨이퍼 캐리어는 화학 기상 증착(CVD), 열 확산, 고온 어닐링과 같은 핵심 공정에 널리 사용됩니다.

포장

Recrystallized silicon carbide wafer carrier

12-inch wafer Carrier

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RSiC wafer carrier

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